IXTN200N10T, Модуль, одиночный транзистор, 100В, 200А, SOT227B, Ugs: ±30В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061942144
- Артикул
- IXTN200N10T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Trench
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTN200N10T-Gen1
- Product:
- Power MOSFET Modules
Цена по запросу
(от 5 056,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, 100В, 200А, SOT227B, Ugs: ±30В Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | Trench |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTN200N10T-Gen1 |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 37.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vr - Reverse Voltage: | 50 V |
| Pd - Power Dissipation: | 550 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 mOhms |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |