IXTL2N470, MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007312190
- Артикул
- IXTL2N470
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- High Voltage
- Brand:
- IXYS
- Product:
- Power MOSFET Modules
- Fall Time:
- 205 ns
Цена по запросу
(от 24 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | High Voltage |
| Brand: | IXYS |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Fall Time: | 205 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 34 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | ISOPLUS-i5-PAK-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 220 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 123 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 4.7 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 4700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |