Моя заявка (0)
IXTK60N50L2, MOSFETs 60 Amps 500V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068749990
Артикул
IXTK60N50L2
Бренд
Ixys Corporation
Type:
LinearL2 Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
38 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 6 580 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейные МОП-транзисторы питания с расширенным FBSOA Линейные МОП-транзисторы питания IXYS с расширенным FBSOA - это N-канальные МОП-транзисторы питания в режиме усиления, предназначенные для линейной работы в корпусе международного стандарта. Линейные силовые МОП-транзисторы IXYS с расширенным FBSOA оснащены миниблоком с изоляцией из нитрида алюминия, высокой плотностью мощности, компактным и простым в монтаже корпусом и формовочной эпоксидной смолой, соответствующей классификации воспламеняемости UL94 V-0.

Технические параметры

Type:LinearL2 Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:38 ns
Packaging:Tube
Rise Time:40 ns
Вес, г10
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-264-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:610 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:25
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:960 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:165 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:18 S
Rds On - Drain-Source Resistance:100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация