IXTK210P10T,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 210 A, 0.0075 ohm, TO-264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539911
- Артикул
- IXTK210P10T
- Бренд
- Littelfuse
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 8 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 100V 210A 3-контактный (3+Tab) TO-264AA
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.001 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-264AA |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | P-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 55 |
| Typical Rise Time (ns) | 98 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1040000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 740 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 740@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±15 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 90 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 165 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 210 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 69500@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.5@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 200 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 210 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1040 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0075 Ом |