Моя заявка (0)

IXTK210P10T, Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

IXTK210P10T, Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002165753
Артикул
IXTK210P10T
Бренд
Littelfuse
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 5 380 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 100V 210A 3-контактный (3+Tab) TO-264AA

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-264AA
Maximum IDSS (uA)25
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураMOSFET
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)55
Typical Rise Time (ns)98
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)1040000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)740
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)740@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±15
Typical Turn-On Delay Time (ns)90
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)165
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)210
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)69500@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7.5@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)200
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А210
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1040
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация