IXTK180N15P, MOSFETs 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724474
- Артикул
- IXTK180N15P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- PolarHT Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTK180N15
- Fall Time:
- 36 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IXTK180N15P производства IXYS представляет собой высокомощный N-MOSFET элемент, предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Способен управлять током стока до 180 А при напряжении сток-исток 150 В. Этот компонент имеет впечатляющую мощность в 715 Вт и низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,011 Ом, что обеспечивает высокую эффективность и минимизацию потерь. Транзистор заключен в надежный корпус TO264, который обеспечивает долговечность и устойчивость к тепловым нагрузкам. Использование IXTK180N15P гарантирует надежность и долгий срок службы ваших электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 180 Напряжение сток-исток, В 150 Мощность, Вт 715 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.011 Корпус TO264
Технические параметры
| Type: | PolarHT Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTK180N15 |
| Fall Time: | 36 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Tradename: | PolarHT |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 240 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 800 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 55 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.01 Ом |