Моя заявка (0)

IXTK140N20P, Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Through Hole

IXTK140N20P, Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000055726
Артикул
IXTK140N20P
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Series:
IXTK140N20
Fall Time:
90 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 4 740 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IXTK140N20P - это одноканальный MOSFET Polar™ с N-канальным усилением мощности, который обеспечивает пониженное статическое сопротивление при подключении к источнику и высокую плотность мощности. • Комплектация международного стандарта • Номинальная индуктивность с незажимаемой коммутацией (UIS). • Низкая индуктивность корпуса - простота управления и защиты • Простота монтажа • Экономия места

Технические параметры

Brand:IXYS
Series:IXTK140N20
Fall Time:90 ns
Packaging:Tube
Rise Time:35 ns
Вес, г10
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-264-3
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation800Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:240 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:800 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:150 ns
Id - Continuous Drain Current:140 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.018Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:18 mOhms
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Непрерывный Ток Стока140А
Рассеиваемая Мощность800Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:25
Напряжение Измерения Rds(on)15В
Напряжение Истока-стока Vds200В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-264
Пороговое напряжение на затворе4
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.018Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.018 Ом

Техническая документация