IXTK120P20T, MOSFETs TrenchP Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006206379
- Артикул
- IXTK120P20T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- TrenchP Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 50 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 5 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | TrenchP Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 50 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 85 ns |
| Вес, г | 11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 740 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 kW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 90 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 200 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 85 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -15 V, +15 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30 mOhms |