X2-Class N-Channel MOSFET, 120 A, 650 V, 3-Pin TO-264P IXTK120N65X2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8688797306
- Артикул
- IXTK120N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Series
- X2-Class
- Тип
- X2-Class
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS X2-Class: Серия силовыx МОП-транзисторов IXYS X2-class значительно снижает сопротивление и заряд затвора по сравнению с предыдущими поколениями силовыx МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и повышению эффективности работы. Эти надежные устройства оснащены встроенным диодом и подxодят как для работы в режиме жесткой коммутации, так и в резонансном режиме. Мощные МОП-транзисторы класса X2 выпускаются в различныx стандартныx промышленныx комплектацияx, включая изолированные, с номинальной мощностью до 120 А при напряжении 650 В. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, электроприводы переменного и постоянного тока, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, солнечные инверторы, системы управления температурой и освещением.
Технические параметры
| Series | X2-Class |
| Тип | X2-Class |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-264P |
| Mounting Type | Through Hole |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 230 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Время нарастания | 24 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 87 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -30 V, +30 V |