Моя заявка (0)

IXTK120N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 120А, 1250Вт, TO264

IXTK120N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 120А, 1250Вт, TO264

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062316650
Артикул
IXTK120N65X2
Бренд
Ixys Corporation
Series
X2-Class
Тип
X2-Class
Pin Count
3
Вес, г
10
Цена по запросу
(от 3 114,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

Технические параметры

SeriesX2-Class
ТипX2-Class
Pin Count3
Вес, г10
Package TypeTO-264P
Mounting TypeThrough Hole
ПродуктPower MOSFET Modules
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.4V
Вид монтажаThrough Hole
Время спада10 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1.25 kW
Typical Gate Charge @ Vgs230 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Qg - заряд затвора230 nC
Maximum Drain Source Resistance23 mΩ
Время нарастания24 ns
Maximum Continuous Drain Current120 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.25 mW
Id - непрерывный ток утечки120 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Размер фабричной упаковки25
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения87 ns
Типичное время задержки при включении32 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация