IXTJ4N150, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1500В, 2,5А, 110Вт, ISOTO247™, 900нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062590681
- Артикул
- IXTJ4N150
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- High Voltage Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 22 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 510,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные IEEE 1500V + Дискретные полупроводниковые транзисторы
Технические параметры
| Type: | High Voltage Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.5 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |