Моя заявка (0)

IXTH90P10P,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Through Hole

IXTH90P10P,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046383682
Артикул
IXTH90P10P
Бренд
Littelfuse
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
7.908
Цена по запросу
(от 3 480 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 100 В 90А (Tc) 462 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-247 (IXTH)

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г7.908
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураP-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 45A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)462W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247(IXTH)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5800 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт462
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.025 Ом

Техническая документация