IXTH90P10P, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 90A 462Вт 0,025Ом TO247AD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437430
- Артикул
- IXTH90P10P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 32 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 77 ns
Цена по запросу
(от 2 050 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 32 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 77 ns |
| Вес, г | 6.13 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Структура | P-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 462 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 462 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 025Ом |