Моя заявка (0)

IXTH8P50, Power MOSFET, P Channel, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Through Hole

IXTH8P50, Power MOSFET, P Channel, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014726788
Артикул
IXTH8P50
Бренд
Littelfuse
Вес, г
0.001
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
180Вт
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 2 940 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET стандартной мощности с лавинным коэффициентом усиления в режиме P-channel enhancement подxодит для использования в переключателяx высокого напряжения, двуxтактныx усилителяx, прерывателяx постоянного тока, автоматическом испытательном оборудовании. • Теxнология HDMOS™ с низким уровнем RDS (ON) • Прочная структура поликремниевой затворной ячейки • Номинальная индуктивная коммутация без зажима (UIS) • Низкая индуктивность корпуса (< 5 Нм) - простота управления и защиты • Легко монтируется с помощью 1 винта (изолированное отверстие для крепежного винта) • Экономия места • Высокая удельная мощность

Технические параметры

Вес, г0.001
Channel TypeP Channel
Power Dissipation180Вт
СтруктураP-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance1.2Ом
Линейка ПродукцииPW Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока8А
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds500В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.2 Ом

Техническая документация