X2-Class Type N-Channel MOSFET, 80 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH80N65X2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010472068
- Артикул
- IXTH80N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 21.34mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- X2-Class
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 3 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия мощныx МОП-транзисторов IXYS класса X2 значительно снижает сопротивление и заряд затвора по сравнению с предыдущими поколениями мощныx МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и повышению эффективности работы.
Технические параметры
| Width | 21.34mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | X2-Class |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 137 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 890 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 137 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 38 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |