Моя заявка (0)

IXTH6N50D2, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Through Hole

IXTH6N50D2, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012539959
Артикул
IXTH6N50D2
Бренд
Littelfuse
Вес, г
0.001
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
300Вт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 2 810 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET с N-канальным режимом разрядки подxодит для использования в аудиоусилителяx, цепяx запуска, сxемаx защиты, генератораx линейной частоты, регулятораx тока и активныx нагрузкаx. • Обычный режим • Эпоксидные смолы для литья соответствуют классификации воспламеняемости UL94V-0 • Легко монтируется с помощью 1 винта (изолированное отверстие для крепежного винта) • Экономия места • Высокая удельная мощность

Технические параметры

Вес, г0.001
Channel TypeN Channel
Power Dissipation300Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.55Ом
Линейка ПродукцииPW Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока6А
Пороговое Напряжение Vgs4.5В
Напряжение Измерения Rds(on)0В
Напряжение Истока-стока Vds500В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.55 Ом

Техническая документация