Моя заявка (0)
IXTH6N100D2, MOSFETs 6Amps 1000V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005506841
Артикул
IXTH6N100D2
Бренд
Ixys Corporation
Type:
Depletion Mode MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
47 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 660 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с напряжением от 100 В до 1700 В представляют собой устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.

Технические параметры

Type:Depletion Mode MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:47 ns
Packaging:Tube
Rise Time:80 ns
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Depletion
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:95 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация