IXTH52P10P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002500204
- Артикул
- IXTH52P10P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Type:
- PolarP Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 1 264,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Type: | PolarP Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 29 ns |
| Technology | PolarP™ |
| Вес, г | 6.11 |
| Gate charge | 60nC |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -52A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 300W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Drain-source voltage | -100V |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Reverse recovery time | 120ns |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |