Моя заявка (0)

IXTH52P10P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO247-3

IXTH52P10P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002500204
Артикул
IXTH52P10P
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO247-3
Type:
PolarP Power MOSFET
Brand:
IXYS
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 1 264,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
Type:PolarP Power MOSFET
Brand:IXYS
MountingTHT
Fall Time:22 ns
Packaging:Tube
Rise Time:29 ns
TechnologyPolarP™
Вес, г6.11
Gate charge60nC
Technology:Si
Polarisationunipolar
Subcategory:Transistors
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Drain current-52A
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 P-Channel
Power dissipation300W
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:60 nC
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance50mΩ
Drain-source voltage-100V
Transistor Polarity:P-Channel
Reverse recovery time120ns
Factory Pack Quantity:30
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 ns
Id - Continuous Drain Current:52 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:12 S
Rds On - Drain-Source Resistance:50 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе5V@4mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А52
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация