Моя заявка (0)
IXTH50P10, MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006220163
Артикул
IXTH50P10
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO247-3
Тип
Standard Power MOSFET
Mounting
THT
Вес, г
47
Цена по запросу
(от 1 640 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -50 Amps -100V 0.055 Rds

Технические параметры

CaseTO247-3
ТипStandard Power MOSFET
MountingTHT
Вес, г47
Длина16.26 mm
СерияIXTH50P10
Gate charge0.14µC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Высота21.46 mm
Ширина5.3 mm
Drain current-50A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation300W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance55mΩ
Drain-source voltage-100V
ТехнологияSi
Reverse recovery time180ns
Вид монтажаThrough Hole
Время спада38 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора140 nC
Время нарастания39 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Id - непрерывный ток утечки50 A
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения86 ns
Типичное время задержки при включении46 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.13 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация