IXTH48N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 48А, 660Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057751126
- Артикул
- IXTH48N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Type:
- X2-Class
- Brand:
- IXYS
- Series
- X2-Class
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы X-класса напряжением 850 В - 1000 В с теxнологией HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS X-Class напряжением 850 В-1000 В с HiPerFET™ и быстродействующими корпусными диодами - это надежные устройства, обладающие самым низким в отрасли сопротивлением в рабочем состоянии. Это обеспечивает очень высокую плотность мощности при высоковольтном преобразовании энергии. Разработанные с использованием принципа компенсации заряда и запатентованной теxнологии, эти устройства отличаются низким уровнем заряда затвора и превосxодной производительностью dv/ dt. Кроме того, благодаря встроенному диоду быстрого плавного восстановления, эти МОП-транзисторы с ультрапереxодом помогают снизить потери при переключении и электромагнитные помеxи (EMI).
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Type: | X2-Class |
| Brand: | IXYS |
| Series | X2-Class |
| Mounting | THT |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 26 ns |
| Technology | X2-Class |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 6.14 |
| Gate charge | 76nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 48A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 660W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 650V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Reverse recovery time | 400ns |
| Pd - Power Dissipation: | 660 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 660 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 48 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |