IXTH34N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 34А, 540Вт, TO247-3, 390нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038726893
- Артикул
- IXTH34N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- X2-Class
- Brand:
- IXYS
- Product:
- Power MOSFET Modules
- Fall Time:
- 30 ns
Цена по запросу
(от 666,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Type: | X2-Class |
| Brand: | IXYS |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Fall Time: | 30 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 48 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Power Dissipation (Pd) | 540W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 540 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 53nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.12nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 34A |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 96 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 540 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 96mΩ@10V, 17A |