Моя заявка (0)

IXTH30N60P, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 30A 540Вт 0,24Ом TO247AD

IXTH30N60P, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 30A 540Вт 0,24Ом TO247AD

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025130655
Артикул
IXTH30N60P
Бренд
Ixys Corporation
Type:
PolarHV Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
25 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 977,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Type:PolarHV Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:20 ns
Вес, г6.11
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:82 nC
СтруктураN-МОП
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенности-
Pd - Power Dissipation:540 W
Typical Turn-On Delay Time:29 ns
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:22 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт540
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)240 mOhms

Техническая документация