IXTH30N50L2, Power MOSFET, LINEAR L2™, N Channel, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8208148615
- Артикул
- IXTH30N50L2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Тип
- Linear L2 Power MOSFET
- Вес, г
- 6
- Длина
- 16.26 mm
- Серия
- IXTH30N50
Цена по запросу
(от 8 590 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 30A 400Вт 0,215Ом TO247AD Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Тип | Linear L2 Power MOSFET |
| Вес, г | 6 |
| Длина | 16.26 mm |
| Серия | IXTH30N50 |
| Высота | 21.46 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 40 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 240 nC |
| Время нарастания | 117 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Коммерческое обозначение | Linear L2 |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 94 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом |