Моя заявка (0)
IXTH26N60P, MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004636836
Артикул
IXTH26N60P
Бренд
Ixys Corporation
Тип
PolarHV Power MOSFET
Вес, г
6.5
Длина
16.26 mm
Серия
IXTH26N60
Цена по запросу
(от 1 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds

Технические параметры

ТипPolarHV Power MOSFET
Вес, г6.5
Длина16.26 mm
СерияIXTH26N60
Высота21.46 mm
Ширина5.3 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада21 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора72 nC
Время нарастания27 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности460 W
Id - непрерывный ток утечки26 A
Коммерческое обозначениеPolarHV
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения75 ns
Типичное время задержки при включении25 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.27 Ом