Моя заявка (0)
IXTH260N055T2, MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006206824
Артикул
IXTH260N055T2
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
24 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
27 ns
Цена по запросу
(от 1 390 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:24 ns
Packaging:Tube
Rise Time:27 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:140 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенности-
Pd - Power Dissipation:480 W
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Id - Continuous Drain Current:260 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:55 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А260
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.3 mOhms

Техническая документация