Моя заявка (0)
IXTH1N170DHV, MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006254170
Артикул
IXTH1N170DHV
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
6
Корпус
to247
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 3 340 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD

Технические параметры

Вес, г6
Корпусto247
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада216 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимDepletion
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора47 nC
Время нарастания38 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности290 W
Id - непрерывный ток утечки1 A
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток16 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток1.7 kV
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения130 ns
Типичное время задержки при включении46 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация