Моя заявка (0)
IXTH180N10T, MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061942183
Артикул
IXTH180N10T
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
31 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
54 ns
Цена по запросу
(от 1 033,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:31 ns
Packaging:Tube
Rise Time:54 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:480 W
Typical Turn-On Delay Time:33 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Id - Continuous Drain Current:180 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C

Техническая документация