Моя заявка (0)

IXTH140P10T,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Through Hole

IXTH140P10T,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003754065
Артикул
IXTH140P10T
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
4
Серия
IXTH140P10
No. of Pins
3Pins
Channel Type
P Channel
Цена по запросу
(от 5 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор TrenchP Channel Power МОП-транзисторs

Технические параметры

Вес, г4
СерияIXTH140P10
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
Product RangeTrenchP
УпаковкаTube
СтруктураP-Channel
Transistor MountingThrough Hole
ТехнологияSi
Transistor Case StyleTO-247
Вид монтажаThrough Hole
Время спада26 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Drain Source Voltage Vds100V
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id140A
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора400 nC
Время нарастания26 ns
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности568 W
Id - непрерывный ток утечки140 A
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток15 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток10 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения86 ns
Типичное время задержки при включении58 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А140
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.115 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт568
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация