Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000307203
- Артикул
- IXTH110N25T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Series
- Trench
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 2 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор с траншейным затвором, IXYS:
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Series | Trench |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 157nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 110A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 694W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| On-state resistance | 26mΩ |
| Drain-source voltage | 250V |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Reverse recovery time | 170ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation | 694 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 157 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 694 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |