IXTH110N10L2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 110А, 600Вт, TO247-3, 230нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072389112
- Артикул
- IXTH110N10L2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 24 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 130 ns
Цена по запросу
(от 3 286,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейные МОП-транзисторы питания с расширенным FBSOA Линейные МОП-транзисторы питания IXYS с расширенным FBSOA - это N-канальные МОП-транзисторы питания в режиме усиления, предназначенные для линейной работы в корпусе международного стандарта. Линейные силовые МОП-транзисторы IXYS с расширенным FBSOA оснащены миниблоком с изоляцией из нитрида алюминия, высокой плотностью мощности, компактным и простым в монтаже корпусом и формовочной эпоксидной смолой, соответствующей классификации воспламеняемости UL94 V-0.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 24 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 130 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 260 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 600 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 99 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 45 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |