IXTH10P60, MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724471
- Артикул
- IXTH10P60
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 35 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 27 ns
Цена по запросу
(от 1 870 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 35 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 135 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |