Моя заявка (0)

IXTH02N450HV, Транзистор N-MOSFET, 4,5кВ, 0,2А, 113Вт, TO247HV, 1,6мкс

IXTH02N450HV, Транзистор N-MOSFET, 4,5кВ, 0,2А, 113Вт, TO247HV, 1,6мкс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066095521
Артикул
IXTH02N450HV
Бренд
Ixys Corporation
Type
1PCSNChannel
Brand:
IXYS
Fall Time:
143 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 3 239,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные IEEE 1500V + Дискретные полупроводниковые транзисторы

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:IXYS
Fall Time:143 ns
Packaging:Tube
Rise Time:48 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:30
Power Dissipation (Pd)113W
Pd - Power Dissipation:113 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10.6nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)246pF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Continuous Drain Current (Id)200mA
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:625 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:4.5 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация