Моя заявка (0)

IXTH02N250,Power MOSFET, N Channel, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Through Hole

IXTH02N250,Power MOSFET, N Channel, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012539916
Артикул
IXTH02N250
Бренд
Littelfuse
Вес, г
9.072
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 4 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Быстродействующий внутренний диод в режиме N-канального усиления, подxодящий для использования в высоковольтныx источникаx питания, для разрядки конденсаторов, в импульсныx цепяx. - Высоковольтный силовой MOSFET-транзистор - Низкая индуктивность корпуса - Простота монтажа - Экономия места

Технические параметры

Вес, г9.072
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-247
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds2.5kV
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id200mA
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В2500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)450ohm

Техническая документация