IXTA76P10T, MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724470
- Артикул
- IXTA76P10T
- Бренд
- Ixys Corporation
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Type:
- TrenchP Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTA76P10
Цена по запросу
(от 978,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, ТО263 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Type: | TrenchP Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTA76P10 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 40 ns |
| Tradename: | TrenchP |
| Вес, г | 1.55 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Range | TrenchP |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 197 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Case Style | TO-263AA |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 298 W |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Continuous Drain Current Id | 76A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 76 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 298 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |