Моя заявка (0)

IXTA76P10T,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Surface Mount

IXTA76P10T,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004136257
Артикул
IXTA76P10T
Бренд
Ixys Corporation
MSL
MSL 1-Unlimited
Type:
TrenchP Power MOSFET
Brand:
IXYS
Series:
IXTA76P10
Цена по запросу
(от 1 930 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, ТО263 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Type:TrenchP Power MOSFET
Brand:IXYS
Series:IXTA76P10
Fall Time:20 ns
Packaging:Tube
Rise Time:40 ns
Tradename:TrenchP
Вес, г2.5
No. of Pins3Pins
Technology:Si
Channel TypeP Channel
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product RangeTrenchP
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:197 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Polarity:P-Channel
Transistor Case StyleTO-263AA
Особенности-
Pd - Power Dissipation:298 W
Drain Source Voltage Vds100V
Operating Temperature Max150°C
Vgs - Gate-Source Voltage:-15 V, +15 V
Continuous Drain Current Id76A
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:52 ns
Id - Continuous Drain Current:76 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:35 S
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А76
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт298
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация