Моя заявка (0)

IXTA64N10L2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 64А, 357Вт, TO263, 180нс

IXTA64N10L2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 64А, 357Вт, TO263, 180нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066983075
Артикул
IXTA64N10L2
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
27 ns
Цена по запросу
(от 2 030 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейные МОП-транзисторы питания с расширенным FBSOA Линейные МОП-транзисторы питания IXYS с расширенным FBSOA - это N-канальные МОП-транзисторы питания в режиме усиления, предназначенные для линейной работы в корпусе международного стандарта. Линейные силовые МОП-транзисторы IXYS с расширенным FBSOA оснащены миниблоком с изоляцией из нитрида алюминия, высокой плотностью мощности, компактным и простым в монтаже корпусом и формовочной эпоксидной смолой, соответствующей классификации воспламеняемости UL94 V-0.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:27 ns
Вес, г2.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:100 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:357 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 ns
Id - Continuous Drain Current:64 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:21 S
Rds On - Drain-Source Resistance:32 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация