Моя заявка (0)

IXTA60N20X4, MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

IXTA60N20X4, MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012199020
Артикул
IXTA60N20X4
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
10 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 1 610 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-263-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:11 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенности-
Pd - Power Dissipation:250 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:52 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:34 S
Rds On - Drain-Source Resistance:21 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация