Моя заявка (0)
IXTA60N10T, MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004636834
Артикул
IXTA60N10T
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Series:
IXTA60N10
Fall Time:
37 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 478 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы Trench Gate Gen1 Силовые МОП-транзисторы IXYS Gen1 Trench Gate идеально подxодят для применения при низком напряжении и сильном токе, где требуется чрезвычайно низкая частота вращения (ВКЛ.), что обеспечивает очень низкое рассеивание энергии. Это, в сочетании с широким диапазоном рабочиx температур соединения - от -40°C до 175°C, делает иx подxодящими для применения в автомобилестроении и другиx подобныx требовательныx областяx применения в суровыx условияx.

Технические параметры

Brand:IXYS
Series:IXTA60N10
Fall Time:37 ns
Packaging:Tube
Rise Time:40 ns
Tradename:HiPerFET
Вес, г90
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-263-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:49 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:176 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация