IXTA52P10P, MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006241170
- Артикул
- IXTA52P10P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 1.6
- Длина
- 10.41 mm
- Серия
- IXTA52P10
- Высота
- 4.83 mm
Цена по запросу
(от 965,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO263 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 1.6 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | IXTA52P10 |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Время нарастания | 29 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |