Моя заявка (0)
IXTA42N15T, MOSFETs TO263 150V 42A N-CH TRENCH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012198767
Артикул
IXTA42N15T
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
25 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
16 ns
Цена по запросу
(от 579 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:16 ns
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:21 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенности-
Pd - Power Dissipation:200 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация