IXTA3N50D2, Транзистор N-MOSFET, 500В, 3А, 125Вт, TO263, 24нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072635587
- Артикул
- IXTA3N50D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Depletion Mode MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 42 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 862,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с напряжением от 100 В до 1700 В представляют собой устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.
Технические параметры
| Type: | Depletion Mode MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 42 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 71 ns |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |