IXTA3N120HV, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 3А, 200Вт, TO263HV, 700нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070028660
- Артикул
- IXTA3N120HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 18 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 15 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные станции постоянного тока предназначены для преобразования энергии переменного тока из электрической сети в энергию постоянного тока, которая затем может подаваться непосредственно в аккумуляторную систему автомобиля для быстрой зарядки - за 30 минут или меньше. Поскольку преобразование переменного тока в постоянный осуществляется на зарядной станции, эти устройства могут обеспечивать более высокий уровень мощности (от 50 до 350 кВт и более) для автомобиля по сравнению с зарядными станциями переменного тока. При работе с мощностью от десятков до сотен киловатт решающее значение имеют эффективное преобразование, надежность системы и безопасность пользователя.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 18 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |