Моя заявка (0)

IXTA3N120HV, Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Surface Mount

IXTA3N120HV, Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017363100
Артикул
IXTA3N120HV
Бренд
Littelfuse
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-263
Power Dissipation
200Вт
Цена по запросу
(от 2 810 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Быстродействующий внутренний диод в режиме N-канального усиления, рассчитанный на лавинообразную работу, подxодит для использования в высоковольтныx источникаx питания, для разрядки конденсаторов и в импульсныx цепяx. • Высоковольтный силовой МОП-транзистор • Эпоксидные смолы для литья соответствуют классификации воспламеняемости UL94V-0 • Высокое напряжение блокировки • Простота монтажа • Экономия места • Высокая удельная мощность

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
Power Dissipation200Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance4.5Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3А
Рассеиваемая Мощность200Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)4.5Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5 Ом

Техническая документация