IXTA3N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 3А, 125Вт, TO263, 17нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062467706
- Артикул
- IXTA3N100D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTA3N100
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2.5
Цена по запросу
(от 857,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом истощения мощности Силовые МОП-транзисторы серии IXYS D2 с N-канальным разрядом напряжения 100 В-1700 В - это устройства с разрядным режимом, которые работают в "обычном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx (например, аварийной или оxранной сигнализации).
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTA3N100 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 37.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |