IXTA36N30P, MOSFETs MOSFET N-CH 300V 36A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006213898
- Артикул
- IXTA36N30P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTA36N30
- Fall Time:
- 28 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 643,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 300В, 36А, 300Вт, TO263
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTA36N30 |
| Fall Time: | 28 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 97 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13Ω@10V, 22A |