Моя заявка (0)

IXTA2R4N120P, 1.2kV 2.4A 7.5 @10V,500mA 125W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-263AA MOSFETs ROHS

IXTA2R4N120P, 1.2kV 2.4A 7.5 @10V,500mA 125W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-263AA MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048802762
Артикул
IXTA2R4N120P
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
32 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 991,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Зарядные станции постоянного тока предназначены для преобразования энергии переменного тока из электросети в энергию постоянного тока, которая затем может подаваться непосредственно в аккумуляторную систему автомобиля для быстрой зарядки – за 30 минут или меньше. Поскольку преобразование переменного тока в постоянный осуществляется на зарядной станции, эти устройства могут обеспечивать более высокий уровень мощности (от 50 до 350 кВт и более) для автомобиля по сравнению с зарядными станциями переменного тока. При работе с мощностью от десятков до сотен киловатт решающее значение имеют эффективное преобразование, надежность системы и безопасность пользователя.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:32 ns
Packaging:Tube
Rise Time:25 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:37 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:2.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация