IXTA20N65X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 20А, Idm: 22А, 290Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010477294
- Артикул
- IXTA20N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- D2PAK
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 1.5
- Gate charge
- 27nC
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 20А, Idm: 22А, 290Вт, D2PAK
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 1.5 |
| Gate charge | 27nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 20A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 290W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.185Ω |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 22A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 290 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |