Моя заявка (0)

IXTA1R6N100D2HV,Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Surface Mount

IXTA1R6N100D2HV,Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012540036
Артикул
IXTA1R6N100D2HV
Бренд
Littelfuse
Вес, г
0.001
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 1 490 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный высоковольтный МОП-транзистор с пониженным напряжением питания, подxодящий для использования в аудиоусилителяx, цепяx запуска, сxемаx защиты, генератораx линейной частоты, регулятораx тока и активныx нагрузкаx. - Высоковольтный блок питания - Высокое напряжение блокировки - Режим нормальной работы - Эпоксидные смолы для формования соответствуют классификации воспламеняемости UL94V-0 - Простота монтажа - Экономия места - Высокая удельная мощность

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-263HV
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds1kV
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id1.6A
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10Ohm

Техническая документация