IXTA1R6N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 100Вт, TO263, 11нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056831252
- Артикул
- IXTA1R6N100D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Depletion Mode MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 41 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 654,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным разрядом напряжения IXYS Серии D2 с N-канальным разрядом напряжения от 100 В до 1700 В представляют собой устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.
Технические параметры
| Type: | Depletion Mode MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 41 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 65 ns |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.65 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |