IXTA1R4N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 63Вт, TO263, 750нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062467684
- Артикул
- IXTA1R4N100P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 2.5
- Длина
- 10.41 mm
- Серия
- IXTA1R4N100
- Высота
- 4.83 mm
Цена по запросу
(от 503,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 1.4 Amps 1000V 11 Rds
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | IXTA1R4N100 |
| Высота | 4.83 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 28 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 35 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 63 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |